В Корейском институте науки и техники объявили о возможности создания запоминающих устройств на основе эффекта спин-поляризации, которые будут гораздо более простыми по своей конструкции, чем предложенные сих пор.
В таких устройствах для изменения поляризации наномагнитов, от направления которой зависит хранимое двоичное значение, выполняется инжекция спин-поляризованных электронов извне. Коммерциализация подобной памяти задерживается, так как из-за использования внешних компонентов не удается обеспечить достаточную энергоэффективность.
За последнее время было обнаружено, что поляризация наномагнитов может меняться и под действием протекающего через них электрического тока. Исследовав это явление, корейские ученые разработали соответствующий математический аппарат. По их подсчетам, запоминающее устройство, основанное на новом принципе, будет расходовать на 60% меньше электроэнергии, чем устройства с внешней спин-инжекцией. Благодаря сравнительной простоте конструкции быструю энергонезависимую память нового типа можно будет быстро привести к коммерциализации, уверены исследователи.