Расположение транзисторов в несколько слоев уже не первый год используется в микросхемах флеш-памяти типа NAND. После появления первых микросхем с трехмерным расположением ячеек развитие пошло очень быстро, и сейчас уже выпускаются микросхемы NAND более чем с двумя сотнями слоев. Однако в памяти типа DRAM реализовать аналогичный подход пока не удается, несмотря на усилия ряда компаний, в том числе Intel. Теперь в разработку памяти DRAM с трехмерным расположением транзисторов включился стартап NEO Semiconductor.
Проект NEO Semiconductor называется 3D X-DRAM, и в компании утверждают, что изготавливать такие микросхемы можно с помощью технологии, очень похожей на технологию изготовления микросхем 3D-памяти NAND. Плотность информации на микросхемах 3D X-DRAM может в восемь раз превышать плотность информации на традиционных микросхемах DRAM.
Впрочем, NEO Semiconductor пока не продемонстрировал ни одного прототипа будущих микросхем 3D-памяти DRAM, и эксперты не могут оценить перспективы его технологий.