Плотность размещения элементов на интегральных микросхемах постоянно увеличивается, и возможности традиционных фотолитографических методов изготовления уже оказываются недостаточными.
В методе фотолитографии на полупроводниковую основу наносится слой светочувствительного материала (фоторезиста), на который проецируется рисунок маски. Проблема в том, что размеры элементов уже стали меньше длины волны света. Вместо света можно применить пучок электронов, но он, в отличие от света, должен последовательно обойти всю поверхность схемы, а это медленнее и стоит дороже.
В новом способе пучок электронов отмечает только несколько ключевых точек, а затем на поверхность наносятся молекулы двух сцепленных полимеров (сополимеров), которые самостоятельно прикрепляются к ключевым точкам, образуя заданный рисунок. Это намного убыстряет и удешевляет процесс. Сейчас ученые исследуют различные расположения ключевых точек, которые смогут создавать действующие элементы микросхем.