Фото: Gary Meek

В рамках пятилетнего проекта, проведенного группой исследовательских учреждений во главе с Технологическим институтом шт. Джорджия, разработана инновационная конструкция микросхем на основе кремния-германия (SiGe), пригодных для применения в экстремальных условиях космоса: чипы способны выдерживать радиацию и колебание температур в широких пределах.

Проект финансировался агентством NASA, которое выделило на исследования в общей сложности 12 млн долл. Кроме научных учреждений в разработке участвовали компании BAE Systems, Boeing, IBM и Lynguent. По завершении проекта исследователи предоставили NASA набор инструментов моделирования, готовых схем и конструкций различных подсистем, а также технологий изготовления корпусов и рекомендации по тестированию изделий на готовность к работе в условиях космоса. Кроме того, разработчики создали действующий прототип «космического электронного модуля» — 16-канального интерфейса общего назначения для приема показаний датчиков.