Компания Winbond Electronics намерена расширить рамки соглашения с компанией Toshiba о производстве микросхем, включив в него технологию производства модулей динамической памяти (DRAM) емкостью 64 Мбит. Согласно подписанному в декабре прошлого года соглашению, Toshiba передала компании Winbond технологию производства DRAM емкостью 16 Мбит и модулей высокоскоростной статической оперативной памяти (SRAM) на 1 Мбайт.
Однако наблюдающееся в этом году быстрое падение рыночных цен на DRAM емкостью 16 Мбит заставило Winbond пересмотреть первоначальное соглашение с тем, чтобы в будущем иметь более рентабельное производство. В Азии цены черного рынка на 16-мегабитные DRAM в настоящее время держатся на уровне 10 долл., что на 75-80% ниже цены, на которую ориентировались компании в момент подписания соглашения.
Winbond планирует начать массовый выпуск 16-мегабитных модулей на своей новой фабрике Fab 4 в третьем квартале 1997 года и вскоре после этого надеется запустить в производство более дорогие модули емкостью 64 Мбит. Мощность строящейся сейчас Fab 4 рассчитана на выпуск 15 тыс. восьмидюймовых плат в месяц. Одновременно с этим, Winbond собирается в первом квартале следующего года наладить массовое производство микросхем SRAM на вновь открывающейся фабрике Fab 3. Уже в сентябре Fab 3 выпустит пробную партию, а ее общая производительность составит 25 тыс. восьмидюймовых плат в месяц.