Это означает, что кэш-память первого уровня объемом 4 Мбайт становится уже реальностью. На выставке будут представлены разработки и других фирм, направленные на дальнейшее увеличение степени интеграции микросхем.
По словам одного из руководителей исследовательского центра IBM Сесадри Суббаны, представляемый на выставке кристалл имеет площадь 6,9 кв.мкм, в то время как только одна статическая RAM-память того же объема, что и на новой микросхеме, занимает сейчас площадь от 15 до 30 кв. мкм. "Возможно, наша разработка еще не скоро найдет широкое применение, - говорит Суббана, - но мы хотим показать, что новая технология уже существует".
Исследователи из NEC считают, что динамическая память (DRAM) емкостью 1 Гбайт появится уже в 2000 году. Им удалось создать прообраз такого чипа на основе 0,15-мкм технологии.
Как утверждают представители Toshiba, маска с таким разрешением не засветится ни при обычном, ни при ультрафиолетовом освещении. Для этого используется рентгеновская литография, которая даст возможность в перспективе создавать модули DRAM емкостью 4 Гбайт на площади всего 0,115 кв.мкм.