технологии ферроэлектрической памяти Ramtron в обмен на отчисления, размер которых не сообщается, и лицензионные права. Представители компании не уточнили подробности сделки, но заявили, что ее сумма составляет миллионы долларов.
Технология ферроэлектрической оперативной памяти следующего поколения обладает рядом преимуществ по сравнению с существующими технологиями памяти. Так, она позволяет создавать недорогие микросхемы с высокими рабочими характеристиками, сохраняющие информацию при отключении питания. По словам руководителей Ramtron, они предназначаются для использования в многочисленных современных бытовых электронных приборах, а также в новых портативных устройствах.
Samsung является крупнейшим мировым производителем модулей динамической оперативной памяти - основных микросхем памяти, применяемых в современных ПК, а также ряда других устройств. Однако динамическая оперативная память неспособна сохранять информацию при отключении питания. Обозреватели отмечают, что быстрое падение цен на микросхемы динамической памяти в прошлом году повлекло за собой попытку южнокорейской компании, гиганта в области электроники, ослабить зависимость от некогда исключительно прибыльного бизнеса динамической памяти. Например, по оценке специалистов компании Dataquest, доходы Samsung в 1996 г. снизились на 26% в основном из-за падения цен на микросхемы динамической памяти. По данным компании, в 1996 г. Samsung заняла седьмое место среди крупнейших мировых производителей микросхем, получив от продажи полупроводниковых изделий 6,2 млрд. долл., по сравнению с шестым местом и поступлениями 8,3 млрд. долл. в 1995 г.
До этого Ramtron заключила аналогичные соглашения с компаниями Hitachi, Rohm, Toshiba и Fujitsu.
Более подробную информацию о технологии FRAM можно найти на Web-сервере Ramtron по адресу: http://www.csn.net/ramtron/
Магический кристалл
Изображенный на рисунке кристалл - это идеализация архитектуры памяти от Ramtron. Красный атом в центре кристаллической решетки под электрическим воздействием может перемещаться вверх или вниз, кодируя цифровую информацию. Смещение атома от центральной позиции в одну сторону соответствует единице, в другую - нулю. Сама процедура не требует много энергии и времени; допускается многократная перезарядка.
Ферроэлектрическая память со случайным доступом (FRAM, ferroelectric random access memory) сохраняет информацию даже после того, как снято электрическое напряжение. FRAM вобрал в себя преимущества динамической памяти DRAM (возможность многократной перезаписи) и статической памяти SRAM (высокая скорость) - с одной стороны, и памяти ROM (энергонезависимость) - с другой. Комбинация этих свойств формирует основу для создания идеального запоминающего устройства - быстрой памяти, которая не теряет данные.
Существующие технологии памяти ROM (в частности, технологии EEPROM и FLASH) не поддерживают записи на высоких скоростях, потребляют больше энергии и выдерживают значительно меньше циклов перезаписи, чем продукты FRAM. С другой стороны, и память DRAM, и SRAM являются энергозависимыми.
Возможными областями применения для памяти могут служить сотовые телефоны и системы персональной связи, смарт-карты, карманные компьютерные устройства..