Компания Enhanced Memory Systems предложила Объединенному совету по проектированию электронных устройств (JEDEC) принять технологию усовершенствованной синхронной динамической оперативной памяти (ESDRAM) в качестве расширения стандарта SDRAM.
Кроме ESDRAM на роль основного стандарта устройства оперативной памяти персонального компьютера претендуют также технологии Double Data Rate, SLDRAM (бывшая SyncLink) и Direct Rambus RAM (RDRAM), получившая поддержку самой Intel.
Время ожидания ESDRAM с частотой регенерации 100 МГц соответствует требованиям спецификации Intel PC-100, определяющей характеристики SDRAM для работы с системами на Pentium II. Корпорация Intel планирует перейти на шину с частотой 100 МГц в будущем году. Соответствующая PC-100 ESDRAM - самый быстрый из всех видов памяти для систем Pentium II.
Малое время задержки ESDRAM с частотой регенерации 133 МГц позволяет использовать ее с более высокими частотами шины памяти. Одобрение JEDEC даст возможность любому производителю динамической оперативной памяти выпускать микросхемы ESDRAM с малым временем задержки и высокой пропускной способностью, которые можно использовать в большинстве популярных компьютерных систем.
SDRAM, установленную в высокопроизводительные рабочие станции и серверы, можно будет модернизировать до ESDRAM. Малое время задержки ESDRAM особенно существенно в таких областях применения, как системы трехмерного моделирования, коммутации, цифровой обработки сигналов и кэширования дисков.
ESDRAM уже устанавливается в системные контроллеры Polaris, выпускаемые VLSI Technology для рабочих станций на процессоре Alpha 21164PC с тактовой частотой 533 МГц. При работе с Polaris VCS-164 пиковая пропускная способность ESDRAM достигает более 1,6 Гбайт/с, а средняя пропускная способность вдвое превышает тот же параметр SDRAM и Direct RDRAM.
ESDRAM совместима по выводам и функциям со стандартным SDRAM. По сравнению с SDRAM, ESDRAM в два раза сокращает внутреннее время задержки динамической оперативной памяти.
Микросхемы ESDRAM с частотой регенерации 133 МГц емкостью 16 Мбайт будут поставляться в тонких корпусах с 44 или 50 выводами. Они устанавливаются в стандартные или малые модули DIMM.
Опытная партия микросхем ESDRAM c частотой регенерации 133 и 100 МГц выйдет в текущем году. Серийное производство начнется в начале 1998 года.
Технология RDRAM ускоряет работу памяти
На недавно завершившемся Микропроцессорном форуме обсуждалась перспективная технология изготовления модулей памяти для ПК Direct Rambus DRAM (RDRAM), получившая одобрение корпорации Intel. К концу следующего года появятся выполненные по этой технологии микросхемы памяти емкостью 64 Мбайт, а в конце десятилетия их объем достигнет 256 Мбайт. "В 2002 году емкость микросхем Direct RDRAM составит уже 1 Гбайт", - заявил вице-президент и генеральный менеджер подразделения запоминающих устройств и новых технологий компании Rambus Аллен Робертс.
"Direct RDRAM устранит недостатки сегодняшних микросхем динамической памяти, - отметил ведущий аналитик компании MicroDesign Resources Питер Сонг. - В то время как скорости процессоров и объемы оперативной памяти растут, быстродействие памяти по-прежнему можно считать узким местом".
"Микросхемы Direct RDRAM будут объединяться в модули, очень напоминающие сегодняшние модули DIMM. Такие новые модули предназначены для установки в ПК, - сообщил Робертс. - Тщательно разработанная конструкция системной платы позволит повысить пропускную способность до 800 Мбит/с. Первыми оценили технологию Direct RDRAM производители ноутбуков. Им понравилась возможность размещения больших объемов памяти в очень маленьком пространстве. Довольно быстро эта технология получила признание и других производителей мобильных устройств".
"Хотя Робертс утверждал, что стоимость Direct RDRAM всего на 5% будет превосходить стоимость микросхем синхронной DRAM, на практике технология RDRAM обходится дороже на 8-10%, - заметил Фархад Табрици, директор по стратегическому маркетингу компании Hyundai Electronics America и председатель консорциума SLDRAM. - При встраивании схем коррекции ошибок цена возрастет еще на 20%. В ближайшие пять лет производители вряд ли отдадут предпочтение более дорогой технологии. За это время они выпустят такой объем продукции, который рынок не сможет переварить. Поэтому производители будут рады даже самой скромной прибыли".
"Также претендующие на роль основной технологии оперативной памяти для ПК микросхемы Double data rate (DDR) начнут выпускаться в начале 1998 года", - считает Джек Конрат, директор по стратегическому маркетингу памяти компании Fujitsu Microelectronics.
DDR DRAM обещает завоевать значительную популярность у производителей ПК с середины следующего и до 1999 года.
"Нельзя забывать и еще об одном сопернике. Микросхемы Enhanced SDRAM (ESDRAM) появятся уже в этом году, - отметил директор по маркетингу компании Enhanced Memory Systems Дэвид Бондурэнт. - Технология ESDRAM характеризуется повышенной пропускной способностью и малым временем задержки, что позволит на 5-10% повысить эффективность использования микросхем".
InfoWorld Electric, США