Компания Samsung Semiconductor, американское дочернее предприятие южнокорейской корпорации Samsung Electronics, начала демонстрацию устройств DDR DRAM, предполагая освоить их массовый выпуск к середине 1998 года.
DDR будут работать на системной шине со скоростью от 66 до 100 МГц. Поддержка шины с частотой 100 МГц будет реализована в наборах микросхем для ПК таких производителей, как Intel, Acer Laboratories, Silicon Integrated Systems и Via Technologies.
В марте группа Joint Electron Device Engineering Council, устанавливающая стандарты в полупроводниковой отрасли, проведет голосование по предложенной Samsung архитектуре DDR, предусматривающей двунаправленный обмен данными.
Сторонники DDR DRAM предполагают, что к середине 1998 года подобные устройства получат широкое распространение, и, в конечном итоге, обеспечат скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с. В результате скорости станут в несколько раз выше, чем у современных широко используемых модулей памяти, таких как EDO и синхронной динамической оперативной памяти.
Однако к 1999 году, как предполагается, DDR столкнутся с жесткой конкуренцией со стороны стандарта модулей памяти Direct Rambus DRAM, получившего поддержку компании Intel. И все же новый DDR-стандарт способен обеспечить определенные преимущества перед интерфейсной технологией компании Rambus, в частности, обратную совместимость с существующими микросхемами памяти, что может оказаться весьма важным в случае недостатка компонентов.
Впрочем, Samsung - не единственная компания, разрабатывающая компоненты DDR. Японская корпорация NEC, к примеру, также намеревается выпустить модули динамической оперативной памяти DDR емкостью 64 Мбайт к концу 1998 года, а производство опытных партий модулей DDR емкостью 128 Мбайт начнется примерно в третьем квартале нынешнего года.
По словам представителей NEC, модули оперативной динамической памяти DDR предназначены для рынка рабочих станций и серверов.
NEC сосредоточила усилия на производстве модулей емкостью 64 Мбайт. Сейчас она ежемесячно выпускает 4 млн. таких микросхем, 70% из них - модули синхронной памяти, а остальные имеют интерфейс EDO.