Новые технологии оперативной памяти

Компания Toshiba America Electronic Components (TAEC) выпустила образцы модуля оперативной памяти Direct Rambus DRAM (RDRAM), которые достигли пропускной способности 1,6 Гбит/с, что соответствует тактовой частоте 800 МГц. Их стоимость пока неизвестна.

В феврале компания Rambus завершила создание интерфейса Direct RDRAM, одновременно предоставив его всем держателям лицензий DRAM. По словам представителей Toshiba, в сентябре компания рассчитывает начать передачу отдельных образцов своим клиентам, а крупномасштабное производство будет развернуто в первом квартале 1999 года.

"Мы уверены, что сможем увеличить производство и удовлетворить потребности отрасли к 1999 году", - сказал менеджер TAEC по маркетингу модулей DRAM Джеми Ститт.

Буквально на днях компания Mosaid Technologies объявила о завершении разработки собственной технологии Synchronous Link DRAM (SLDRAM).

Новые модули памяти имеют интерфейс, который позволяет довести общую скорость обмена данными с модулем памяти SLDRAM до 800 Мбит/с. Эта технология предназначена для коммуникационных приложений и приложений бытовой электроники, а также для высокопроизводительных настольных ПК и серверов.

Новинка была подготовлена для консорциума SLDRAM, объединяющего производителей компьютеров и модулей памяти, в частности IBM, NEC, Texas Instruments и Toshiba. На базе продукта Mosaid эти компании будут создавать свои собственные устройства SLDRAM.

Ожидается, что к концу лета появятся опытные образцы процессоров, предназначенные для тестирования.

В апреле компания Micron Technology объявила о выпуске опытных образцов 400-мегагерцевых устройств SLDRAM емкостью 64 Мбайт. В настоящее время фирма предоставила новые модули памяти компаниям Compaq, HP, IBM и Micron Electronics.

"Compaq - активная участница кампании по определению и спецификации нового отраслевого стандарта DRAM, - заявил вице-президент группы Enterprise Computing Group компании Compaq Карл Уолкер. Сейчас Compaq Computer проводит тестирование подготовленных образцов модулей памяти SLDRAM и рассматривает возможность использования устройств SLDRAM в наших наисовременнейших продуктах".

"Мы считаем, что открытые стандарты будут и дальше играть в производстве DRAM важнейшую роль", - заявил менеджер Центра технологий памяти при компании Hewlett-Packard Генри Ли.

"Корпорация IBM полностью поддерживает работу по определению и стандартизации новых технологий памяти", - заявил менеджер отделения IBM Global Procurement по разработке технологий памяти Майк Рубино.

Тем временем комитет JEDEC JC42.3 Memory Committee одобрил определение архитектур усовершенствованной синхронной DRAM (Enchanced Synchronous DRAM, ESDRAM) и ESDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR ESDRAM) компании Enhanced Memory Systems в качестве дополнения к своим стандартам Synchronous DRAM. Скорее всего, поставщики модулей памяти DRAM будут поддерживать ту архитектуру памяти, которая соответствует отраслевому стандарту.

Среди членов группы по стандартизации полупроводников Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) при ассоциации Electronic Industries Association (EIA) - представители крупнейших поставщиков модулей памяти DRAM и компаний - производителей компьютерных систем.

Fujitsu ускоряет память

Разработанная компанией Fujitsu технология оперативной памяти нового типа, названная Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM), почти вчетверо быстрее существующих модулей динамической памяти DRAM. Цикл FCRAM составляет 20 нс. Такая память может использоваться для обработки трехмерных изображений, а также в составе высокопроизводительных серверов. Fujitsu надеется, что устройства появятся в системах уже к 2000 году.

Емкость первых микросхем FCRAM составит 64 Мбайт.

До настоящего времени скорость доступа DRAM повышалась в основном за счет совершенствования интерфейса ввода/вывода (как в EDO RAM и SDRAM). В то же время частота регенерации увеличилась с 66 до 100 МГц. Тем не менее время цикла по-прежнему составляет 70 нс.

Как отмечают аналитики, существенного повышения скорости DRAM не удалось добиться по той причине, что основа этих устройств оставалась неизменной. В FCRAM же адреса столбцов и строк назначаются одновременно, а не последовательно, что позволило ускорить работу памяти.

В прошлом году компания NEC Electronics представила технологию Virtual Channel Memory (VCM), также повышающую скорость работы модулей памяти DRAM.

Принцип VCM заключается в расширении шины между матрицей ячеек памяти DRAM и интерфейсом, связывающим микросхему с остальной системой. VCM обеспечивает повышение скорости работы самой памяти тем же методом, каким технологии ввода-вывода, подобные Rambus, ускоряют работу интерфейсов связи с нею.

Для реализации VCM нужны лишь незначительные модификации базовой логики, но конструкция материнской платы при этом изменений не требует.

Системы, снабженные памятью с поддержкой VCM, не дороже обычных. Модули SDRAM на ее основе объемом по 64 Мбайт появились во втором квартале 1998 года. Во второй половине 1998 года начнется тестирование модулей видеопамяти и DRAM с удвоенной скоростью (DDR).

NEC предоставляет лицензии на VCM производителям аппаратного обеспечения бесплатно.

VCM может работать с любым из существующих интерфейсов динамической памяти, включая EDO DRAM, SDRAM, DDR, SL и Rambus. В модулях DRAM с поддержкой VCM каждый диспетчер памяти обладает своими виртуальными каналами. Каждому каналу в DRAM отведен свой участок и выделены ресурсы.

Rambus продала первую лицензию на Тайване

Компания Rambus сообщила, что Vanguard International Semiconductor станет первым тайваньским производителем микросхем, лицензировавшим интерфейсную технологию Direct Rambus, которая, как предполагается, позволит значительно увеличить скорость доступа к памяти в ПК.

Vanguard предполагает использовать интерфейсную технологию Direct Rambus в своих 128-разрядных модулях динамической памяти, выпуск опытных партий которых начнется в третьем квартале следующего года.

Технология Rambus позволит при операциях с памятью обеспечить пропускную способность до 1,6 Гбайт/с для одного устройства.

Интерфейс Direct RDRAM уже получил одобрение корпорации Intel, которая начиная со следующего года планирует использовать его в ПК старшего класса. К этому моменту Intel, как предполагается, представит новые наборы микросхем, поддерживающих эту технологию.

Rambus подписала соглашения о лицензировании с 15 ведущими производителями модулей памяти, но среди них до сих пор не было ни одной тайваньской компании.

По мнению аналитиков, сделка с Vanguard стимулирует интерес со стороны тайваньских производителей.

Vanguard - один из ведущих тайваньских производителей модулей памяти. По данным занимающейся исследованием рынка компании In-Stat, в 1997 году Vanguard вошла в список 15 крупнейших производителей модулей DRAM.

Сейчас компания производит модули синхронной и асинхронной оперативной памяти емкостью 16 Мбайт, в этом году должен начаться выпуск модулей объемом 64 Мбайт.