Согласно прогнозам, массовое производство микросхем памяти емкостью 4 Гбит начнется не раньше чем через пять лет. За это время производители DRAM освоят выпуск по меньшей мере трех поколений микросхем памяти - емкостью 128 Мбит, 256 Мбит и 1 Гбит. Однако, как утверждают специалисты Samsung, новая технология позволит компании начать выпуск микросхем емкостью 4 Гбит на три года раньше, чем предполагалось раньше.
Впрочем, эта технология может быть задействована и при изготовлении уже выпускающихся продуктов - это позволит снизить их стоимость и повысить конкурентоспособность.
Как сообщили в Samsung, компания уже представила рабочий образец микросхемы памяти DRAM емкостью 16 Мбит, изготовленной по 0,13-микронной технологии.
Следует отметить, что рынок модулей динамической памяти переживает непростые времена. Перепроизводство привело к снижению цен на память; ряд крупных игроков вообще заявили о свертывании производства. Представители Samsung в начале июня объявили, что компания намеревается сократить объем выпуска микросхем DRAM емкостью 16 и 64 Мбит в связи с необходимостью стабилизации цен на память.
Лидеры отрасли, включая Samsung и NEC, уже поставляют опытные партии микросхем емкостью 128 Мбит. (Для модуля памяти емкостью 64 Мбайт требуются всего четыре такие микросхемы.)
Ранее представители Samsung сообщали о планах компании начать к 2002 году выпуск микросхем памяти емкостью 1 Гбит, изготавливаемых по 0,18-микронной технологии.
Hitachi выпустит модули памяти емкостью 1 Гбайт
Наверное, модули памяти SDRAM емкостью 1 Гбайт, которые собирается выпустить компания Hitachi, понадобятся далеко не каждому, но производителям мощных серверов и профессиональных рабочих станций они, безусловно, придутся весьма кстати.
Американское подразделение компании, Hitachi Semiconductor, объявило о намерении выпустить в четвертом квартале текущего года опытную партию модулей памяти SDRAM сверхвысокой емкости. Серийный выпуск новых устройств намечен на первый квартал следующего года.
Чтобы добиться плотности в 1 Гбайт, инженеры Hitachi разместили микросхемы SDRAM емкостью 16256 Мбит на одной стороне монтажной платы модуля dual in-line memory module (DIMM), что позволило остаться в рамках ограничений на максимальную высоту модуля (она не должна превышать 3,8 см).
Новые модули памяти полностью соответствуют спецификациям Intel PC100, работают на шине с тактовой частотой 100 МГц и обеспечивают пропускную способность 800 Мбайт/с с обработкой кода коррекции ошибок.
Модули емкостью 1 Гбайт предназначены для работы с приложениями, предъявляющими повышенные требования к производительности (например, для имитационного моделирования интегральных схем, обработки графики и анимации, автоматизированного проектирования). Новую память никак нельзя назвать дешевой. Цена одного модуля при закупке партии в 1000 шт. составит 6650 долл.
В третьем квартале текущего года Hitachi планирует выпустить опытную партию модулей SDRAM DIMM емкостью 512 Мбайт. Серийное производство намечено на четвертый квартал. Цена 512-мегабайтных модулей составит 5500 долл. для партии в 1000 шт.
Служба новостей IDG, Тайбей