 | |
Повышение в два раза быстродействия шины памяти обеспечит общее увеличение производительности системы примерно на четверть.
В октябре начато серийное производство 64-разрядных микросхем синхронной динамической памяти виртуальных каналов (virtual channel synchronous dynamic random access memory, VC-SDRAM).
«Поддержка технологии NEC не требует высоких затрат и без труда может быть реализована в наших наборах микросхем», - заявил представитель компании Via Technologies.
Первый набор микросхем Via для процессоров с разъемом Socket 7, совместимый с новой технологией, будет выпущен в конце текущего года. В наборе MVP4 появится также интегрированный ускоритель двухмерной и трехмерной графики.
Компании Acer Laboratories Inc. (ALI) и Silicon Integrated Systems (SIS) пообещали представить наборы микросхем с поддержкой VC-SDRAM в начале следующего года.
«В 1999 году мы развернем производство наборов микросхем, совместимых с памятью виртуальных каналов, как для интерфейса Socket 7, так и для разъема Slot 1», - сообщил директор подразделения настольных и мобильных компьютеров компании SIS Алекс Ву.
Учитывая активность конкурентов, лидирующая на рынке корпорация Intel также вынуждена поддержать технологию NEC. Таким образом, микросхемам VC-SDRAM фактически гарантирован пропуск в мир популярных недорогих ПК.
На рынке недорогих устройств компаниям ALI, SIS и Via удалось серьезно потеснить Intel. Главным образом это объясняется тем, что крупнейший производитель микропроцессоров прекратил выпуск наборов микросхем для старой архитектуры Socket 7. В то же время процессоры с интерфейсом Socket 7 (в частности, микросхемы K6-2 компании Advanced Micro Devices и модели M-II, разработанные подразделением National Semiconductor корпорации Cyrix) по-прежнему весьма популярны на рынке компьютеров, продаваемых по цене дешевле 1000 долл.
Корпорация Compaq, например, использует наборы микросхем Via в некоторых моделях DeskPro, а микросхемы SIS устанавливаются в недорогие настольные компьютеры Pavillon, выпускаемые компанией Hewlett-Packard.
Корпорация NEC - далеко не единственный разработчик памяти, обладающей высоким быстродействием. В начале октября компания Enhanced Memory Systems направила в суд иск, в котором японский производитель микросхем VC-SDRAM обвиняется в нарушении патентного законодательства.
Представители Intel пообещали встроить в наборы микросхем следующего поколения поддержку высокопроизводительного интерфейса, разработанного компанией Rambus. Технология Direct RDRAM позволит увеличить тактовую частоту памяти до 800 МГц и обеспечить пропускную способность 1,6 Гбайт/с.
Однако стоимость микросхем Rambus пока слишком высока, и вряд ли в ближайшем будущем они смогут найти применение в недорогих ПК.
Среди других архитектур быстрой оперативной памяти можно отметить технологии double-data rate DRAM (DDR DRAM) и synchronous link DRAM (SLDRAM).
Toshiba и NEC наращивают выпуск модулей DRAM
Два ведущих японских производителя - Toshiba и NEC - наращивают объем производства усовершенствованных модулей динамической оперативной памяти с целью добиться более высоких прибылей на этом рынке.
Обе корпорации переходят к производству 128-разрядных модулей динамической оперативной памяти, одновременно повышая объем выпуска 64-разрядных устройств.
Пока не ясно, как именно новая стратегия компаний отразится на конечных пользователях, но благодаря 128-разрядным блокам динамической памяти производители плат смогут устанавливать больше памяти на своих подключаемых платах. Некоторые 128-разрядные модули также предлагают более быстрые интерфейсы, чем модули предыдущих поколений.
Падение цен на 64-разрядные компоненты и «ценовая война» на рынке модулей динамической памяти вынуждают производителей плат «уговаривать» своих потребителей, главным образом разработчиков ПК, перейти на высокоемкие модули динамической памяти. Некоторые производители пытаются повысить рентабельность, поднимая цены на модули динамической памяти старшего класса. NEC, к примеру, в сентябре объявила об увеличении цен на 10%.
К декабрю NEC планирует довести ежемесячный объем выпуска своих 64-разрядных модулей до 10 млн. штук, а к марту следующего года производство 128-разрядных модулей DRAM возрастет до 1 млн. штук в месяц. Сейчас ежемесячный объем выпуска плат памяти составляет 600 тыс. штук.
«Мы собираемся к концу года поднять объем выпуска 64-разрядных устройств до максимально высокого уровня и затем постараемся убедить потребителей отдать предпочтение 128-разрядным модулям», - сообщил представитель NEC.
«Мы будем готовы наладить массовый выпуск 128-разрядных модулей памяти в первом квартале 1999 года, - подчеркнул представитель корпорации Toshiba. - Но объем производства пока не определен. Нам необходимо провести опрос пользователей, чтобы выяснить уровень спроса на данные устройства».
- Роб Гас, Служба новостей IDG, Токио