памяти в расчете на 1 Мбайт, скорее всего, останется на прежнем, достаточно низком уровне.
Одним из наиболее заметных событий на рынке модулей оперативной памяти станет выпуск Rambus DRAM, которые работают с частотой 600 МГц и выше, более чем в четыре раза превосходя по производительности модули синхронной динамической памяти, ставшие особенно популярными в 1998 году. Новая технология модулей оперативной памяти позволит значительно увеличить производительность программного обеспечения и скорость при работе с более быстрыми периферийными устройствами, такими как дисководы для DVD и усовершенствованные жесткие диски. Кроме того, модули RDRAM повысят эффективность передачи данных, их можно будет модернизировать поочередно, увеличивая емкость по сравнению с SDRAM.
Корпорация Intel поддержала эту технологию; как заявили представители компании, она будет применена в микропроцессорах следующего поколения, выпуск которых запланирован на конец 1999 года.
Но для того, чтобы материнские платы и дополнительные микросхемы смогли поддерживать RDRAM, необходимо пересмотреть их архитектуру, что, возможно, задержит быстрое распространение новой технологии памяти.
Так, производители ПК намерены использовать новую память только в самых дорогих моделях серверов и рабочих станций. «Вряд ли в этом году они смогут завоевать большую долю рынка, - считает Джордж Иваник, старший аналитик Dataquest. - Скорее всего, первенство останется за модулями 100-мегагерцевой синхронной памяти DRAM».
ПК стоимостью менее 1000 долл. по-прежнему будут комплектоваться «старыми» модулями памяти EDO RAM с частотой всего 40 МГц, и лишь немногие производители компьютеров начального уровня согласятся расширить возможности своих систем за счет установки 66-мегагерцевых модулей SDRAM. Системы среднего класса по цене от 1000 до 2000 долл. будут оснащаться модулями SDRAM с частотой 100 или 133 МГц, которые, по словам аналитиков, работают лучше благодаря поддерживающим их системным шинам.
Емкость памяти в новых компьютерах будет наращиваться и впредь; как отметил Кевин Нокс, аналитик GartnerGroup, стандартной может стать память емкостью 96 или 128 Мбайт.
Но существенного снижения цен в пересчете на 1 Мбайт вряд ли стоит ждать. Джим Хенди, старший аналитик Dataquest, уверен, что цены останутся практически неизменными в течение двух лет. Сейчас, как подчеркнул Хенди, многие производители продают модули оперативной памяти себе в убыток. Скорее всего, это приведет к разорению мелких компаний, что, в свою очередь, в 2001 году вызовет дефицит модулей памяти. Кроме того, как отметил менеджер одной компании - производителя ПК, недавний резкий рост курса иены в ближайшее время может привести к росту цен.
Winbond присоединяется к приверженцам Rambus
Терхо УимоненТайваньская компания Winbond Electronics присоединилась к нескольким производителям модулей памяти, подписавшим лицензию на интерфейсную технологию высокоскоростной памяти, созданную компанией Rambus. Winbond будет использовать технологию Rambus в новых микросхемах RDRAM, которые в варианте Winbond должны обладать емкостью 128 Мбит. Массовый выпуск новой продукции начнется в IV квартале этого года. К концу 1999 года, как предполагается, в ПК старшего класса модули RDRAM начнут вытеснять привычные модули синхронной динамической оперативной памяти. Интерфейс Rambus обеспечивает пиковую пропускную способность в 1,6 Мбит/с, что вчетверо превышает показатели самых быстрых современных плат SDRAM.
Новое лицензионное соглашение свидетельствует также и о том, что технология Rambus быстро завоевывает признание как стандартный интерфейс для микросхем памяти следующего поколения. В середине января, к примеру, корпорация Intel сообщила о намерении инвестировать 100 млн. долл. в южнокорейскую компанию Samsung Electronics; эти средства должны ускорить разработку продукции, поддерживающей технологию RDRAM.
Vanguard International Semiconductor в прошлом году первой из тайваньских производителей подписала лицензию на технологию Rambus.
По словам представителей компании Rambus, которая сама не выпускает никаких устройств, лицензионное соглашение на ее технологию подписали восемь из десяти крупнейших мировых производителей полупроводниковых систем.
Samsung осваивает технологии Rambus на деньги Intel
Корпорация Intel подписала соглашение о намерениях с Samsung Electronics, согласно которому она инвестирует 100 млн. долл. на поддержку выпуска модулей памяти следующего поколения, создаваемых на основе высокоскоростной интерфейсной технологии Rambus. Предполагается, что Intel приобретет конвертируемые облигации, которые могут быть обменены на 1-процентный пакет обыкновенных акций Samsung.
Предоставляемые Intel денежные средства должны будут способствовать выпуску модулей памяти Direct Rambus DRAM, которые, как предполагается, уже ко второй половине года в основном заменят модули синхронной динамической оперативной памяти, используемые сейчас в персональных компьютерах. К июню Intel рассчитывает представить набор микросхем Intel 820, который будет поддерживать модули Direct RDRAM, позволяющие в четыре раза увеличить обмен данными по сравнению с современными 100-мегагерцевыми модулями SDRAM.
Аналогичное соглашение между компаниями было подписано два года назад. Тогда Intel инвестировала некоторую сумму в расположенный на территории Соединенных Штатов завод Samsung, выпускающий микросхемы SDRAM.
Соглашение с Samsung последовало за другой крупной инвестиционной сделкой Intel, в прошлом году выделившей 500 млн. долл. американскому производителю микросхем памяти компании Micron Technology.
Однако многие аналитики считают, что несмотря на все усилия Intel, в нынешнем году дефицита памяти RDRAM избежать все равно не удастся, поскольку крупнейшие производители (большей частью японские) не спешат приступать к производству данного вида продукции.
Компания Fujitsu, в частности, вместо технологии RDRAM собирается предложить пользователям новое поколение микросхем SDRAM, работающих на частоте 133 МГц. Первая партия продукции должна поступить на рынок в середине июня, одновременно с выпуском набора микросхем Intel 820 (Camino).
Samsung объявила о начале серийного производства микросхем RDRAM, которые, по ее оценкам, уже в этом году будут устанавливаться в 30% всех новых ПК. В первой половине текущего года ежемесячный выпуск 72- и 144-мегабитных микросхем RDRAM составит около 500 тыс. единиц (в пересчете на аналогичные устройства объемом 64 Мбит), а во втором полугодии, в случае адекватной реакции рынка на предложение, объем ежемесячного производства достигнет 5 млн. шт.
Технология RDRAM предусматривает выделение одного бита в байте для коррекции ошибок, поэтому реальная полезная емкость 72-мегабитных микросхем составляет 72 Мбит.