Начаты поставки 256-мегабитных модулей DDR SDRAM
 |
| Опытные партии 256- и 512-мегабайтных DIMM-модулей с микросхемами DDR SDRAM уже поступили заказчикам |
Массовое производство модулей должно начаться в конце года, ко времени перехода индустрии на новый стандарт памяти.
Опытные партии 256- и 512-мегабайтных DIMM-модулей с микросхемами DDR SDRAM уже поступили заказчикам; вскоре появятся и гигабайтные модули. Стандартные 184-контактные DIMM-модули будут выпускаться как без буферных регистров — для компьютеров начального уровня, так и с буферными регистрами — для серверов и рабочих станций старшего класса.
Повышение производительности в DDR SDRAM достигается за счет передачи данных на обоих фронтах импульса регенерации памяти. Иными словами, микросхема DDR SDRAM, обновляемая с частотой 133 МГц, обладает в действительности суммарной частотой регенерации 266 МГц, что соответствует пиковой пропускной способности, превышающей 2,1 Гбайт/c.
Первые партии 256-мегабитных микросхем DDR SDRAM с суммарной частотой регенерации 200 и 266 МГц будут производиться на опытной линии в городе Ист-Фишкил (шт. Нью-Йорк), принадлежащей Альянсу разработчиков DRAM, который образовали компании Infineon, IBM и Toshiba. Позже производство таких микросхем будет перенесено на завод White Oak Semiconductor, расположенный в Ричмонде (шт. Вирджиния).
В феврале корпорация Intel инвестировала 250 млн. долл. в Infineon, которая ранее была полупроводниковым подразделением концерна Siemens.
В свою очередь, Infineon должна была расширить свои производственные мощности по выпуску микросхем DRAM, в том числе и с высокоскоростным интерфейсом памяти Rambus — стандартом, являющимся непосредственным конкурентом DDR SDRAM.
О намерении реализовать подержку DDR SDRAM в своих новых наборах микросхем сообщила компания Via Technologies.
Наборы микросхем, в частности, отвечают за передачу данных между микропроцессором и памятью персонального компьютера. Соответственно, и поддерживаемые типы памяти также определяются набором микросхем.