Энергонезависимая память превратит ПК в устройство «постоянной готовности»
В 2004 году корпорация IBM планирует представить прототип модуля оперативной памяти, основанной на технологии MRAM (magnetic random access memory), которая обещает сократить расход энергии батарей и превратить персональный компьютер в устройство «постоянной готовности» (instant-on).
По словам пресс-секретаря азиатско-тихоокеанского подразделения IBM Джуны Намиока, прототип должен заложить основы новой парадигмы универсальной оперативной памяти, которая придет на смену популярным сегодня микросхемам DRAM (dynamic RAM), SRAM (static RAM) и флэш-памяти.
«Вместо конденсаторов, применяемых в микросхемах DRAM, технология MRAM предусматривает использование тонкой магнитной пленки, — сообщил директор сингапурского института Data Storage Institute Чон Тау Чон. — В привычных нам микросхемах памяти информация сохраняется благодаря формированию соответствующим образом распределенного заряда конденсаторов, в устройствах MRAM это будет осуществляться за счет намагничивания пленки».
Одно из преимуществ новой технологии заключается в том, что в отличие от DRAM память MRAM является энергонезависимой. В микросхемах DRAM информация хранится в конденсаторах, и при отключении питания происходит ее потеря. Это означает, что для длительного хранения информацию необходимо переписывать на жесткий диск, имеющий магнитную поверхность. Благодаря энергонезависимости память MRAM позволяет преодолеть это ограничение. Таким образом, при отключении питания не пропадет ни бита. По словам Чона, первоначально емкость одного элемента памяти MRAM будет составлять 64 Кбайт.
Применение эффекта магнитной поляризации вместо электрического заряда подразумевает отсутствие необходимости периодического обновления памяти MRAM. Таким образом, отпадает надобность и в загрузке компьютера в начале каждого сеанса работы. Пользователи получат в свое распоряжение устройства постоянной готовности. Времени на их включение уйдет не больше, чем на включение телевизора.
Еще одно преимущество памяти MRAM состоит в том, что она обеспечивает заметное сокращение расхода энергии батарей. Ведь в отличие от микросхем SRAM и DRAM здесь не требуется постоянного энергоснабжения.
«Данная технология окажет огромное влияние на весь мир кабельного и беспроводного оборудования, на серверы и на устройства, которые составят основу для повсеместных вычислений», — подчеркнула Намиока.
По оценкам аналитика компании Pathfinder Research Фреда Зибера, к 2005 году спрос на микросхемы памяти MRAM может достичь 40 млрд. долл. «Технология MRAM выглядит очень многообещающей, — отметил Зибер. — Конечно, пройдет еще немало времени, прежде чем память MRAM появится в коммерческих системах. Но если данная технология будет развиваться в правильном направлении, она со временем вытеснит с рынка микросхемы DRAM».