Advanced Micro Devices разработала транзистор с шириной затвора 15 нм, который может переключаться свыше 3 трлн. раз в секунду. Этот транзистор в пять раз компактнее, чем транзисторы в современных коммерческих микросхемах, у которых ширина затвора около 100 нм (0,1 мкм). Разработка транзистора с затвором 0,015 мкм окажется чрезвычайно важной, если технология производства полупроводников будет развиваться в том же ключе.
Ширина затвора транзистора связана с часто используемой характеристикой процессоров — нормой проектирования (но не эквивалентна ей). Самые современные технологии обеспечивают норму проектирования 0,13 мкм: это означает, что на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы. Ширина затвора транзистора должна быть еще меньше (чтобы его можно было устанавливать между проводами) и в современных коммерческих микросхемах составляет около 0,1 мкм.
За счет создания полупроводниковых элементов меньшего размера, в частности транзистора на 0,15 мкм, AMD открывает новые возможности разработки более быстрых и сложных микропроцессоров.
Новый транзистор, изготовленный по технологии КМОП (комплементарные структуры «металл-оксид-проводник». — Прим. ред.), который является на нынешний день самым быстрым, был представлен на конференции 2001 International Electron Devices Meeting в Вашингтоне.
Большинство ведущих производителей в ближайшем будущем перейдут на технологию с нормой проектирования 0,10 мкм, а затем на 0,07 мкм, 0,05 мкм и так далее, а в 2009 или 2010 году — на технологии с нормой проектирования 0,03 мкм. Разработка транзисторов с затвором шириной 0,015 мкм — первый шаг в коммерциализации технологии на 0,03 мкм.
Ранее в этом году на конференции в Японии корпорация Intel сообщила о разработке транзистора с шириной затвора 0,02 мкм, заявив о своих планах реализовать ее в коммерческих продуктах к 2007 году.