Intel представляет флэш-память с малым энергопотреблением
Корпорация Intel анонсировала очередное поколение микросхем флэш-памяти для сотовых телефонов и карманных устройств. Скорость обмена данными при использовании этих микросхем возрастает вчетверо, а энергопотребление уменьшается на 60%.
Новые микросхемы флэш-памяти Intel W18 с нормой проектирования 0,13 мкм ориентированы на растущий рынок мобильных телефонов, поддерживающих передачу данных.
Сотовые телефоны постепенно выходят за рамки служб передачи голосового трафика. Сегодня они уже поддерживают многофункциональные приложения, включая выполнение мультимедийных задач обработки потокового видео и аудио. Поэтому, по словам менеджера по маркетингу продуктов подразделения Intel Flash Products Group Скотта Данагана, организация быстрого доступа к файлам приобретает решающее значение.
Новые микросхемы способны пересылать информацию со скоростью 80 Мбайт/с, тогда как пропускная способность предыдущего поколения была ограничена 20 Мбайт/с. Причем если производительность выросла, то напряжение потребляемой энергии уменьшилось с 3 В до 1,8 В.
Впрочем, президент консалтинговой компании MobileWeek Дэвид Хайден полагает, что увеличение емкости флэш-памяти сегодня намного важнее роста ее пропускной способности и снижения энергопотребления.
В настоящее время даже микросхемы флэш-памяти W18 имеют емкость всего 8 Мбайт, да и то лишь при использовании специальной технологии Intel для объединения двух микросхем. Появление микросхем емкостью 16 Мбайт ожидается в 2003 году.
«Для повышения эффективности мы можем интегрировать новую элементную базу с микросхемами SRAM, — заявил Данаган. — Это позволит получить более компактную архитектуру и обеспечить экономию пространства».
В будущем предполагается объединить флэш-память с микросхемами логики приложений. Этот процесс получил название «принцип гармошки» (folded stacking).
Работы по проектированию микросхем W18 уже завершены, а первые поставки этого варианта флэш-памяти начнутся летом.