IBM создает уникальный «строительный материал» для устройств беспроводной связи
Инженеры корпорации IBM разработали транзистор, функционирующий на частоте 350 ГГц, что втрое быстрее самого быстрого из доступных сегодня транзисторов. Он может стать «строительным материалом» для интегральных схем, которые используются в устройствах беспроводной связи. Аналогичные транзисторы с частотой 150 ГГц могут стать коммерчески доступными в течение двух лет. Созданные на их базе интегральные схемы, поддерживающие Internet-соединения, будут отличаться значительно большей эффективностью и меньшим энергопотреблением. В результате, например, телефонные аппараты для сетей мобильной связи третьего поколения будут дольше работать, не требуя перезарядки.
Современные интегральные схемы, как известно, состоят из миллионов транзисторов. Скорость переключения транзисторов определяется скоростью прохождения через них электронов. Эта скорость, в свою очередь, зависит от характеристик материала транзистора и расстояния, которое должны пройти электроны.
В 350-гигагерцевом транзисторе IBM используется кремний, легированный германием (SiGe). Транзистор реализован по биполярной технологии, при которой электроны переносятся вертикально, в отличие от стандартных КМОП-транзисторов с горизонтальным переносом. Инженеры IBM уменьшили высоту транзистора, чтобы сократить расстояние, на которое перемещается электрон.
Добавление в кремний германия увеличивает скорость потока электронов, что повышает производительность и снижает энергопотребление.
Более подробно представители IBM расскажут о новой технологии изготовления транзисторов на конференции International Electron Devices Meeting в декабре.