На прошедшем в японском городе Киото международном научном симпозиуме по технологиям сверхбольших интегральных схем (VLSI) представители IBM и Infineon Technologies рассказали о разработках в области магниторезистивной оперативной памяти (MRAM). «MRAM представляет собой энергонезависимую память, то есть способную хранить информацию продолжительное время без электропитания, — объяснил Билл Галлахер, директор IBM Research по магнитоэлектронике. — Один из видов энергонезависимой памяти — флэш-память — применяется в сотовых телефонах и PDA для постоянного хранения настроек».
MRAM применяется в военном и аэрокосмическом оборудовании, но технологией для массового рынка пока не стала. Рынок ПК и ноутбуков в настоящее время почти безраздельно принадлежит динамической оперативной памяти (DRAM). Применение MRAM, по оценкам специалистов, позволило бы значительно снизить энергопотребление ноутбуков и КПК.
«Особенностью магнитной памяти является удачное сочетание высокой плотности, быстродействия и энергонезависимости, — отметил Галлахер. — DRAM отличается дешевизной и высокой емкостью, но требует электропитания и является относительно медленной. Статическая оперативная память обладает более высоким быстродействием, но стоит дороже, чем DRAM». Применение магнитной памяти даст возможность отказаться от достаточно длительной процедуры загрузки ПК с жесткого диска — MRAM позволит хранить операционную систему целиком в памяти, благодаря чему компьютер будет готов к работе сразу после включения питания. Как сообщили представители двух компаний, пробные партии микросхем MRAM планируется выпустить к началу следующего года, а компьютеры и другие устройства с магнитной памятью могут появиться уже в 2005 году.