Первые опытные партии устройств XDR DRAM намечено выпустить в 2004 году
Компании Toshiba и Elpida объявили о намерении наладить к 2005 году выпуск оперативной памяти по новой технологии разработки Rambus. Ранее эта технология носила кодовое название Yellowstone.
Частота обновления памяти XDR (eXtreme Data Rate) DRAM составит 3,2 ГГц. Начать выпуск опытных партий планируется в 2004 году. По словам представителей Rambus, XDR DRAM будет работать «намного быстрее», чем любая из ныне существующих технологий памяти для ПК и потребительской электроники.
Как отмечает главный аналитик Mercury Research Дин Маккаррон, для XDR DRAM в Rambus воспользовались принципиально иной интерфейсной технологией, нежели применяемая сегодня в DDR SDRAM. Сама Rambus микросхемы памяти выпускать не будет — компания лишь лицензирует производителям интеллектуальную собственность, необходимую для изготовления интерфейсов, используемых памятью для связи с устройствами ввода/вывода или набором микросхем.
Как утверждают в Rambus, XDR обеспечит более высокую производительность, чем иные виды динамической оперативной памяти. При этом новый тип памяти будет способен конкурировать с существующими типами памяти для массового рынка. Напомню, что память RDRAM (Rambus DRAM), активно пропагандировавшаяся Rambus, перестала пользоваться успехом у разработчиков чипсетов, производителей материнских плат и DRAM-модулей, а также сборщиков ПК, когда более дешевые устройства DDR сравнялась по производительности с RDRAM.
Sony Computer Entertainment, дочернее предприятие Sony по выпуску игровых консолей, объявило о планах по лицензированию технологии XDR DRAM для использования в приставках PlayStation 3. Предыдущую разработку Rambus, память RDRAM, Sony применяет в консоли PlayStation 2.