В третьем квартале должен начаться массовый выпуск 0,09-микронных микросхем Intel Wireless Flash Memory
Ник ван Девентер: «Мы считаем архитектуру NOR более совершенной с технической точки зрения и, как следствие, более перспективной»

С переходом на 0,09-микронную технологию изготовления микросхем типа NOR в корпорации Intel связывают надежды на укрепление пошатнувшихся позиций на рынке флэш-памяти. Об этом в рамках недавнего IDF заявил директор подразделения Intel Flash Products Group Ник ван Девентер.

Прошлый год, как отмечают многие обозреватели, оказался не самым удачным для Intel на рынке флэш-памяти. Хотя объемы поставок микросхем типа NOR выросли по сравнению с 2002 годом, это не привело к заметным изменениям на рынке, поскольку объемы продаж микросхем другого типа, NAND, выросли еще больше. Доминирующему положению флэш-памяти NAND, которая широко применяется как во флэш-картах, так и во встроенных запоминающих устройствах, пока ничего не угрожает. Тем не менее в Intel по-прежнему не намерены выпускать микросхемы NAND.

«Мы считаем архитектуру NOR более совершенной с технической точки зрения и, как следствие, более перспективной», — заявил ван Девентер.

В Intel подчеркивают, что в качестве основных потребителей микросхем флэш-памяти NOR в корпорации видят производителей разнообразных беспроводных устройств (в первую очередь, сотовых телефонов). Интересно, что это подчеркивается и в заявлениях руководителей подразделения Flash Products Group, и тем, что семейство микросхем, выпускаемых по 0,09-микронному техпроцессу, получило наименование Intel Wireless Flash Memory.

По словам ван Девентера, в Intel рассчитывают, что переход к более совершенной технологии изготовления микросхем позволит корпорации существенно снизить их себестоимость. А это, в свою очередь, должно отразиться на их привлекательности с точки зрения потребителей. По словам ван Девентера, в Санта-Кларе не считают рынок флэш-памяти потерянным для Intel и намерены всерьез побороться с его лидерами, включая Samsung, которой в последнее время отдают пальму первенства в производстве микросхем типа NAND.

Производство микросхем флэш-памяти в настоящее время ведется на четырех заводах Intel. Два из них расположены в США, два других — в Ирландии и Израиле. Кроме того, предприятие, расположенное в Санта-Кларе, именуется Development Fab, то есть оно специализируется на изготовлении экспериментальных образцов устройств следующих поколений. Несмотря на переход к использованию техпроцесса 90 нм, в компании пока не собираются отказываться от технологии 180 нм, причем не только в нынешнем году, но и, как минимум, вплоть до 2006 года включительно.

Основным при изготовлении микросхем флэш-памяти Intel пока остается техпроцесс с нормой 130 нм. Лишь в 2006 году, согласно планам корпорации, положение изменится в пользу технологии 90 нм.

Поставки опытных образцов 64-мега?битных микросхем Intel Wireless Flash Memory, изготовленных по технологии 90 нм, должны начаться в апреле. К массовому выпуску этих чипов в корпорации планируют приступить в третьем квартале. Цена их при поставках партиями в 1000 штук, по словам представителей корпорации, должна составить 10,26 долл.

Позже в этом году в Intel намерены начать производство 0,09-микронных микросхем емкостью 256 и 512 Мбит, выполненных по технологии Multi-Level Cell.

Почему создан MIF?

Объявление о создании альянса Memory Implementers Forum (MIF) стало не самым громким анонсом, сделанным в ходе IDF. Но тем не менее оно привлекло к себе внимание специалистов.

Давно отказавшись от поставок DRAM-устройств под собственной торговой маркой, в Санта-Кларе тем не менее не оставили попыток оказывать влияние на этот рынок. И если в случае с памятью Rambus подобные попытки скорее вредили имиджу Intel, то из коллизий вокруг первого поколения DDR корпорация определенно смогла извлечь пользу, зарекомендовав себя как сторонника проверенных решений и взвешенных подходов при переходе к более прогрессивным технологиям.

Теперь с подачи Intel организовано онлайновое сообщество, в качестве ближайших задач которого называются «развитие и совершенствование ключевых технологий памяти, таких как DDR2 и Fully Buffered-DIMM (FB-DIMM)». К инициативе Intel уже присоединились более десятка компаний, в числе которых ряд известных производителей микросхем DRAM (Elpida, Hynix, Infineon, Micron) и модулей памяти (Kingston, Nanya), а также традиционные партнеры лидера процессорного рынка, HP и Dell. Как было отмечено в официальном анонсе, любая компания, разрабатывающая устройства памяти или системы, использующие память, может присоединиться к Memory Implementers Forum без вступительного взноса, лишь подписав соответствующее юридическое соглашение.

Время покажет, будет ли новый альянс препятствовать или, наоборот, помогать деятельности JEDEC. В свое время представители Intel высказывали претензии в адрес этой организации, которая, в частности, занимается выработкой спецификаций DDR. Возможно, эти претензии и стали причиной образования MIF, хотя официально об этом сказано не было.