Toshiba и Sandisk удалось увеличить емкость микросхем флэш-памяти до 4 Гбит
По словам представителей компаний Toshiba и Sandisk, совместными усилиями их специалистам удалось разработать модуль флэш-памяти, способный хранить вдвое больше данных, чем самый большой из имеющихся на рынке чипов.
Новая микросхема может хранить 4 Гбит (512 Мбайт) данных. При этом в компаниях уже ведется работа над новой микросхемой, которая фактически будет содержать два таких чипа в одном физическом модуле. Таким образом, речь идет уже о 8-гигабитном (1 Гбайт) модуле флэш-памяти.
Рост емкости запоминающих устройств и плотности записи информации на носителях, как правило, связан с переходом на более совершенные технологии их изготовления. Для чипов памяти это приводит к уменьшению их физических размеров либо к увеличению объема вмещаемых данных.
Для потребителей это означает, что портативные устройства, использующие флэш-память, могут стать меньше при том же объеме памяти либо сохранить размеры с одновременным увеличением объемов хранения. Среди таких устройств — цифровые фотокамеры, сотовые телефоны, MP3-плейеры и карты памяти, например, стандартов SD (Secure Digital) или Memory Stick.
Компании планируют начать массовое производство микросхем на 4 Гбит и 8 Гбит в третьем квартале этого года. Согласно официальному заявлению, производство будет осуществляться на их совместном предприятии, Flash Vision Japan, по 90-нанометровому технологическому процессу, объем выпуска составит 300 тыс. модулей в месяц.
«Опытные образцы 4-гигабитных модулей появятся вскоре по стоимости 114 долл., а 8-гигабитные чипы — чуть позже по цене 218 долл.», — заявили представители Toshiba. Цены на новые микросхемы, которые будут установлены после начала их массового производства, объявлены не были.
По утверждению представителей Toshiba, появление единичных экземпляров третьего чипа этого семейства, который будет состоять из четырех новых микросхем и иметь емкость 16 Гбит (2 Гбайт), ожидается в третьем квартале.