Infineon и IBM представляют прототип микросхемы памяти MRAM на 16 Мбит
Компании Infineon Technologies и IBM продемонстрировали прототип микросхемы памяти MRAM (Magnetic RAM) емкостью 16 Мбит. MRAM — это энергонезависимая память, способная хранить информацию в течение продолжительного интервала времени без подачи электропитания. Ожидается, что в ближайшие годы данная технология придет на смену флэш-памяти в мобильных устройствах. А в перспективе она может вытеснить с рынка даже память DRAM, которая в настоящее время устанавливается в ПК.
В MRAM используются магниторезистивные материалы. Данные записываются под воздействием магнитного поля, которое переводит ячейки памяти в одно из двух магнитных состояний. В существующих же технологиях памяти хранение данных осуществляется за счет формирования соответствующих электрических зарядов.
Помимо энергонезависимости, еще одним достоинством памяти MRAM является ее невысокая стоимость. В отличие от флэш-памяти, которая производится на основе специализированного процесса КМОП, микросхемы MRAM можно выпускать с использованием стандартного процесса. Это приводит к тому, что в больших объемах производство микросхем MRAM обходится дешевле.
Область применения MRAM в первую очередь охватывает мобильные устройства, где подобные микросхемы должны прийти на смену флэш-памяти. В будущем память MRAM может заметно потеснить микросхемы SRAM и DRAM, которые в производстве обходятся дешевле, но работают медленнее по сравнению с MRAM и требуют постоянного источника питания для хранения записанных данных.
Infineon и IBM совместно работают над созданием микросхем MRAM с 2000 года. Ожидается, что в ближайшие годы партнерам удастся наладить производство элементной базы данного типа в промышленных масштабах.