Компании Nantero и LSI Logic совместными усилиями пытаются наладить массовый выпуск NRAM-устройств
В устройствах памяти, изготовленных по технологии NRAM, нанотрубки закрепляются на кремниевой подложке, под ними на расстоянии примерно 100 нм располагается углеродный субстрат. Под действием электрического заряда трубка сгибается и входит в соприкосновение с субстратом, что вызывает замыкание электрической цепи. Размыкание цепи также происходит под действием электрического заряда

В компании Nantero утверждают, что новая технология NRAM (Nanotube-based RAM), разработанная ее специалистами, в будущем должна прийти на смену всем существующим формам памяти, используемой в компьютерах. Память на углеродных нанотрубках может стать панацеей для лечения всех «болезней», присущих нынешним технологиям — DRAM, SRAM, флэш-памяти и т. д. Она будет сочетать в себе их лучшие качества — дешевизну (DRAM) и энергонезависимость (флэш-память).

Конечно, без конкурентов NRAM не останется. Соперничать с этой технологией будут такие типы памяти, как PCRAM (Phase-Change RAM) и MRAM (Magnetic RAM). Однако перспективы NRAM специалистам видятся очень неплохими. Так что же особенного в памяти на углеродных нанотрубках?

Во-первых, она быстрее, чем SRAM, дешевле и не теряет своего содержимого при выключении питания. Во-вторых, разработчики обещают, что срок службы устройств NRAM будет практически неограниченным. Со временем они станут более емкими, чем DRAM-устройства при меньшем энергопотреблении. В довершение всего память NRAM должна обладать устойчивостью к радиационному воздействию.

По словам директора Nantero Грега Шмергела, производство памяти на углеродных нанотрубках может быть организовано на базе существующих сейчас КМОП-производств, то есть лавинообразного роста себестоимости продукции можно будет избежать. Достоинства применения NRAM выглядят впечатляюще: начальная загрузка ПК будет осуществляться практически мгновенно, а в серверах появится возможность использовать память, сравнимую по быстродействию со SRAM, но при этом без существенного роста затрат. Это выглядит как рай для всех пользователей и сулит основателям Nantero получение статуса миллиардера.

Впереди — тройное сражение

Толщина углеродной нанотрубки составляет примерно 1/10000 диаметра человеческого волоса, толщина ее стенки сравнима с размерами атома. Трубки закрепляются на кремниевой подложке, под ними на расстоянии примерно 100 нм располагается углеродный субстрат. Под действием электрического заряда трубка сгибается и входит в соприкосновение с субстратом, что вызывает замыкание электрической цепи. Размыкание цепи также происходит под действием электрического заряда.

Возникает естественный вопрос: как наладить массовое производство таких устройств? Ответа на него пока нет. Однако в Nantero уже создали работающий прототип массива NRAM емкостью 10 Гбайт.

Проблему организации серийного выпуска устройств памяти на базе нанотрубок специалисты Nantero решают совместно с компанией LSI Logic, в которой рассчитывают использовать технологию NRAM при разработке ASIC-микросхем следующих поколений (в настоящее время в ASIC-микросхемах LSI Logic применяется флэш-память). Шмергел заявил, что у LSI Logic имеются «производственные мощности мирового класса» и «эта компания является идеальным партнером для перехода к массовому выпуску устройств на основе нанотрубок, выполненных по технологии Nantero». По его словам, процесс производства может быть окончательно доработан к 2006 году.

Заметим, что массовое изготовление устройств памяти типов PCRAM и MRAM также возможно организовать на базе существующих КМОП-производств (естественно, при условии их модернизации). Так что вполне возможно, что через некоторое время мы станем свидетелями настоящего тройного сражения между этими тремя технологиями памяти за место под солнцем.