Samsung разработала новые микросхемы памяти
Компания Samsung Electronics разработала два новых компонента систем хранения большой емкости: флэш-чип NAND емкостью 8 Гбит, основанный на технологии сверхтонких микросхем и ячеек, и микросхему DDR2 SDRAM емкостью 2 Гбит.
Используя первое устройство, можно будет создавать карты памяти емкостью 16 Гбайт, на которых «уместятся» до 16 часов видео качества DVD или до 4 тыс. песен, записанных в формате MP3, длительностью примерно 5 минут каждая.
Предполагаемая сфера применения второй микросхемы — подсистемы памяти рабочих станций и серверов.
Напомним, что микросхемы типа NAND сегодня главным образом используется в сменных флэш-картах и в качестве встроенной памяти мобильных устройств, а DDR2 сейчас становится основным стандартом памяти для ПК.
Флэш-карта на 8 Гбит создана на основе технологии с нормой проектирования 60 нм, размер ячеек хранения на 30% меньше, чем ячеек чипа памяти на 4 Гбит, созданного Samsung на основе технологии с нормой проектирования 70 нм. Выпуск тех микросхем компания начала в прошлом году. Уменьшение нормы проектирования означает, что микросхемы и ячейки памяти становятся меньше, работают быстрее и стоят дешевле.
По словам представителей Samsung, в отрасли бытовало мнение, что микросхемы DDR2 SDRAM на 2 Гбит должны создаваться на основе технологии с нормой проектирования 65 нм или даже меньше, но благодаря новым разработкам в области технологии транзисторов компании удалось добиться того же результата при норме проектирования 80 нм. Samsung планирует начать массовое производство этих компонентов во второй половине 2005 года.
Ведущий аналитик компании iSuppli, занимающейся исследованиями рынка, Ким Хьюнг Нам считает, что создание компонентов DDR2 SDRAM емкостью 2 Гбит еще раз подтвердило технологическое лидерство Samsung, однако рынок таких микросхем вряд ли сложится раньше 2008-2009 года.
«С точки зрения технологии двухгигабитные DDR2 SDRAM — это не продукт ближайшего будущего. Сейчас наиболее широко используются компоненты емкостью 256 Мбит. Я не думаю, что компоненты емкостью 512 Мбит станут основой для микросхем памяти для ПК раньше 2008 года», — заявил он.