Samsung готова представить уникальную технологию оперативной памяти XDR
|
| производительность XDR в десять раз выше, чем у DDR 400, и в пять раз превосходит соответствующие показатели микросхем RDRAM PC800 |
Память нового стандарта (XDR — eXtreme Data Rate) в десять раз производительнее DDR 400 и в пять раз — RDRAM PC800. Рабочие станции и серверы, на которых будут установлены модули памяти с микросхемами XDR DRAM емкостью 256 Мбит, смогут выполнять приложения намного быстрее, чем компьютеры с оперативной памятью, выпускаемой сегодня.
Создаваемые Samsung устройства работают так быстро за счет технологии DRSL (Differential Rambus Signal Level), обеспечивающей устойчивую пересылку данных на высоких скоростях. Процесс Octal Data Rate за один такт передает 8 бит информации. Скорость пересылки при этом составляет 8 Гбайт/с. Память DDR 400 передает информацию со скоростью 0,8 Гбайт/с, а RDRAM — со скоростью 1,6 Гбайт/с.
Современная память GDDR3 с тактовой частотой 1,6 ГГц осуществляет пересылку данных со скоростью 50 Гбайт/с. Добавление памяти XDR DRAM позволяет повысить пропускную способность в пять раз и вывести ее на уровень 256 Гбайт/с.
Технология, предлагаемая Rambus, в настоящее время работает на частоте 2,4 ГГц. Увеличивая частоту поэтапно с шагом 800 Гц, разработчики намерены довести ее до 8 ГГц.
В первой половине текущего года инженеры Samsung планируют увеличить емкость и производительность своих микросхем и начать поставки чипов XDR DRAM емкостью 512 Мбит. Скорость передачи достигнет 12,8 Гбайт/с.
Наибольший выигрыш от этого получат приложения, обрабатывающие крупные видеофайлы, а также файлы аудио/видео. Впрочем, результат окажется заметен и для всех прочих приложений, осуществляющих интенсивный обмен информацией с оперативной памятью.
Специалисты IDC уверены в перспективности этой технологии. На их взгляд, поставки элементной базы XDR DRAM, если перевести ее в микросхемы емкостью 256 Мбит, к 2009 году достигнут 800 млн. штук. Этот рост будет отражать общий характер использования памяти XDR в настольных компьютерах после 2006 года. Впрочем, в конечном итоге все зависит от цены. Так, память RDRAM, появившаяся в 2000 году, несмотря на заметные улучшения по сравнению с выпускавшейся в тот момент памятью SDRAM, так и не сумела завоевать большую часть рынка, поскольку поставщики микросхем оперативной памяти в ответ предложили технологию, обладающую более высокой конкурентоспособностью. Компания Rambus предъявила ряду поставщиков судебные иски, обвинив их в нарушении патентного законодательства. В ходе судебного разбирательства ей удалось добиться определенного прогресса, и есть вероятность, что производителям микросхем DRAM в конце концов придется лицензировать у нее технологию.