Корпорации IBM и Intel вступили в очередную фазу состязания по дальнейшему улучшению полупроводниковых технологий, анонсировав новые способы производства компьютерных чипов.

Исследования обеих компаний сконцентрированы вокруг важнейших строительных блоков (так называемого high-k-материала), предназначенных для создания процессоров на основе еще более компактных и эффективных транзисторов. High-k- материал обладает более высокими изолирующими свойствами по сравнению со стандартным диоксидом кремния, благодаря чему у инженеров появляется возможность уменьшать размеры транзисторов без потери эффективности вследствие утечек электричества.

И Intel, и IBM уже объявили о своих планах применения данного материала при организации производства транзисторов с использованием технологии "металлических high-k-затворов", обеспечивающих улучшение параметров включения и выключения.

Анонсы двух компаний позволяют говорить о сохранении актуальности закона Мура, согласно которому число транзисторов на чипе удваивается через каждые два года. Новость наверняка понравится и пользователям, потому что чем больше транзисторов содержит микропроцессор, тем быстрее работает ПК.

Появление новых материалов означает также, что производителям больше не придется преодолевать барьеры, обусловленные необходимостью вытравливания микроскопических транзисторов на чипе и организации массового производства изделий, которые продавались бы по приемлемой для пользователей ПК цене. По мнению представителей Intel, один только этот прорыв гарантирует выполнение закона Мура "на протяжении всего следующего десятилетия".

Последние заявления подчеркивают обострение старого соперничества в отрасли. Ведь корпорация IBM поддерживает партнерские отношения с компаниями Sony, Toshiba и, главное, с AMD - основным конкурентом Intel на микропроцессорном рынке.

Кто кого?

Представители как Intel, так и AMD сообщили, что новая технология будет использоваться при переводе производственного процесса с нормы проектирования 65 нм на 45 нм. Корпорация Intel планирует выйти на норму проектирования 45 нм во второй половине текущего года, выпустив двухъядерный процессор для ноутбуков, двухъядерный и четырехъядерный чипы для настольных компьютеров, а также двухъядерный и четырехъядерный процессоры для серверов. Ожидается, что в первой половине 2008 года полномасштабное производство новых продуктов будет запущено сразу на трех заводах.

"Пока анонсирована лишь первая пятерка из тех 15 процессоров, которые мы намерены выпускать по технологии 45 нм", - сообщил менеджер программы перевода производства на норму проектирования 45 нм Кайзад Мистри. Конкретные сроки начала продаж чипов Penryn представители Intel пока не сообщают.

"Мы со своей стороны намерены наладить выпуск чипов по технологии 45 нм в середине 2008 года, - заявила пресс-секретарь AMD Джессика Кайзер. - А первый продукт, изготовленный по технологии 65 нм, - четырехъядерный процессор Barcelona появится в середине 2007 года". Корпорация IBM планирует начать продажи систем с процессорами, созданными на основе новых транзисторов, к концу 2008 года. Для этого будет задействована производственная линия в Ист-Фишкилле (шт. Нью-Йорк).

Представители Intel утверждают, что опережают своих конкурентов в подготовке процесса перевода чипов на норму проектирования 45 нм. "У нас уже появляются преследователи, но ни одной компании не удалось добиться столь впечатляющих результатов, как у нас, - подчеркнула пресс-секретарь Intel Кари Аакре. - Мы не только совершили удивительный прорыв в области разработки транзисторов с металлическими затворами high-k, но и успели продемонстрировать пять первых версий процессоров семейства Penryn. Они предназначены для установки в серверные, настольные и портативные системы и обеспечивают ускорение работы всех основных операционных систем, а также самых разных приложений".

Первый не значит лучший

Если все пойдет так, как планируется, Intel обгонит конкурентов и по срокам начала производства чипов с транзисторами размером 45 нм. Лидерство Intel в производственной сфере, наверное, позволит корпорации опередить своих конкурентов в выходе на рынок, но IBM может получить от новой технологии более высокую отдачу в долгосрочной перспективе, поскольку металлические затворы high-k используются здесь несколько иным образом.

"Невероятный параллелизм проектирования, который сулит данная технология, поможет компаниям наладить выпуск более быстрых и эффективных чипов, предназначенных для установки в самые разные устройства, начиная от ПК и заканчивая сотовыми телефонами и проигрывателями iPod, - считает старший аналитик The Envisioneering Group Ричард Доэрти. - Преимущество Intel заключается в том, что производство уже организовано, зато у IBM есть возможность освоить выпуск более быстрых и компактных процессоров. Прорыв IBM состоит в том, что инженерам корпорации удалось встроить металлический затвор в кремний. У Intel же металлические затворы располагаются поверх испытанной кремниевой архитектуры".

Представители IBM подтвердили, что планируют применять технологию металлических high-k затворов не только при организации производства более быстрых чипов в ближайшей перспективе, но и для решения долгосрочных задач, связанных с переходом от нормы проектирования 45 нм на 32 и 22 нм.

"Наша компания намерена использовать преимущества данной технологии при разработке мощных серверов и суперкомпьютеров, - заявил главный технолог IBM Systems & Technology Group Берни Майерсон. - О технологии high-k мы говорим на протяжении уже пяти лет. Если бы нам хотелось, можно было бы представить готовую продукцию уже завтра. Но поступать таким образом нет резона, потому что это не поможет нам решить никаких проблем». По мнению Майерсона, нет смысла начинать бороться с вероятным кризисом, пока не станет ясно, что он действительно наступил. «Нас интересуют фундаментальные решения, оксиду кремния нужна синхронная и действительно достойная замена, - добавил он. - Еще несколько лет назад я говорил, что эпоха затворов из оксида кремния подходит к концу. Толщина затворов сегодня составляет буквально пять атомов. И что вы собираетесь делать: заменить их затвором толщиной в два с половиной атома?"