Компании достигли соглашения о необходимости сотрудничества с целью перехода с 2012 года на большие по размеру подложки, которые обеспечат снижение себестоимости изготовления одной микросхемы благодаря более эффективному использованию энергии и других ресурсов. Площадь поверхности 450-миллиметровой подложки более чем в два раза превышает площадь подложки диаметром 350 мм. Переход на новую технологию поможет дальнейшему развитию полупроводниковой промышленности и позволит сохранить приемлемую структуру расходов на создание интегральных микросхем.