.jpg) |
| Фото: Ola J. Joensen |
Физики Института им. Нильса Бора Копенгагенского университета открыли парадоксальное явление: при определенных условиях лазер способен охладить полупроводник с комнатной температуры до –269 °C. Этого удалось добиться в ходе эксперимента с мембраной из арсенида галлия площадью 1 кв. мм и толщиной 160 нм. Ее поместили параллельно зеркалу и облучили лазером. Когда лазер попадает на мембрану, часть излучения отражается от нее в зеркало, которое, в свою очередь, вновь отражает лазер, и т. д. Таким образом, образуется оптический резонатор. Варьируя резонансную частоту путем изменения расстояния между зеркалом и мембраной, ученые нашли ту, при которой начинается охлаждение. Наблюдаемое поразительное явление — следствие «сложного взаимодействия движений мембраны, свойств полупроводника и оптического резонанса», объясняют ученые. Это исследование стало продолжением экспериментов по лазерному охлаждению атомов, которые проводятся в институте уже несколько лет.