. Такая память обеспечивает в десять раз больше циклов перезаписи по сравнению с существующими аналогами, а сам цикл записи в 100 тыс. раз быстрее, чем у EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory). При этом новая память потребляет незначительное количество электроэнергии, что позволит использовать ее только в существующих на сегодняшний день приложениях с энергонезависимой памятью, но также заменить существующую полупроводниковую память в различных встроенных приложениях.