Ученые МТИ заявили о прорыве в области спиновой электроники, разработав новый материал магнитных полупроводников, который обещает возможность улучшить характеристики микросхем за счет использования спинового состояния электрона. Найденное вещество представляет собой оксид индия с добавлением небольшого количества хрома. Слой такого сплава размещается поверх обычного кремниевого полупроводника, в который он инжектирует электроны с заданной ориентацией спина. На другом конце схемы информация с электронов считывается детектором спина. В ходе исследования ученым также впервые удалось продемонстрировать и использовать зависимость магнитных свойств материала от дефектов атомной решетки — отсутствующих атомов. Исследователи заявляют, что их открытие со временем позволит создавать микросхемы, гораздо более универсальные, чем нынешние, но потребляющие при этом существенно меньше электроэнергии.