.png) |
| Источник: University of Manchester |
С тех пор как в 2004 году была изобретена технология получения графена — материала, представляющего собой одиночный слой атомов углерода, — ученые бьются над проблемой слишком сильной утечки тока из него. Она мешала реализовать одно из перспективных применений графена — в качестве замены кремния в микросхемах. Группе ученых Манчестерского университета во главе с первооткрывателями способа изготовления графена нобелевскими лауреатами Андреем Геймом и Константином Новоселовым удалось решить эту проблему:
в журнале Science они пишут, что «перевернули» графен, изготовив из него вертикальные проводники, по которым электроны туннелируют из одного металла в другой через слой диэлектрика: был изготовлен туннельный диод.
Воспользовавшись уникальной особенностью графена — возможностью резкого изменения энергии туннелирующих электронов под влиянием внешнего напряжения, ученые получили электронный элемент нового типа — вертикальный полевой туннельный транзистор. По убеждению Леонида Пономаренко, руководителя экспериментальной части исследований, такие транзисторы можно будет уменьшить до нанометровых размеров и заставить работать на частотах, близких к терагерцу.
