Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) представила новую серию высокоскоростных МОП-транзисторов типа Super Junction. Линейка DTMOS IV-H, включающая модели TK31N60X, TK39N60X и TK62N60X, создана на основе четвертого поколения серии Toshiba 600 В Super Junction MOSFET DTMOS IV.
Благодаря использованию новейшей технологии Toshiba с одним эпитаксиальным слоем серия МОП-транзисторов DTMOS IV-H типа Super Junction идеально подходит для областей применения, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактной конструкции. Эти элементы применимы в таких устройствах, как высокоэффективные переключатели источников питания для серверов и телекоммуникационных базовых станций, а также стабилизаторы напряжения для фотогальванических инверторов.
Новая серия обеспечивает высокоскоростное переключение, сохраняя низкий уровень сопротивления в открытом состоянии стандартного транзистора DTMOS IV, — и все это без потерь энергии. Это достигается благодаря уменьшению паразитной емкости между затвором и стоком (обычно значение CЗСО лежит в диапазоне от 3000 до 6500 пФ), что также вносит вклад в улучшение энергоэффективности и уменьшение размера элементов.
Оптимизация схемы затвора обеспечивает 45-процентное уменьшение заряда затвор-сток (обычно значение QЗ лежит в диапазоне от 65 до 135 нКл) по сравнению с обычным транзистором DTMOS IV. Новая линейка продуктов обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (максимальное значение RСИ.ОТК при UЗИ = 10 В лежит в диапазоне от 0,088 до 0,040 Ом), а благодаря использованию технологии с одним эпитаксиальным слоем при высоких температурах отмечается лишь небольшой рост сопротивления в открытом состоянии. Ток стока для устройств лежит в диапазоне от 30,8 до 61,8 А.
Новая серия DTMOS IV-H в настоящее время доступна в виде модуля T0-247 с дополнительными вариантами корпуса, включая DFN 8x8 мм. Модули TO-220 и TO-220SIS будут доступны в ближайшее время.