Компания Toshiba Electronics Europe представляет новый корпус TO-247 для МОП-транзисторов с четырьмя выводами для применения в цепях регулирования коэффициента мощности модулей Smart Power Stage (SPS) большой мощности. Новый корпус содержит быстродействующие чипы DTMOS-H с низким значением QGD, что позволяет оптимизировать режим переключения.
В традиционных корпусах TO-247 с тремя выводами паразитная индуктивность на выводе истока приводит к повышенным потерям при увеличении частоты переключения. В новом корпусе TO-247 4L используется дополнительный отдельный вывод сигнала истока, называемый «отводом Кельвина». Использование этого вывода истока позволяет увеличить значение di/dt и повысить эффективность переключения. По сравнению с устройством с тремя выводами потери при переключении E(ON) снижаются в новом решении с четырьмя выводами примерно на 15 %.
Кристаллы DTMOSIV-H изготавливаются по технологии Deep Trench компании Toshiba, обеспечивающей более низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) при повышенных температурах по сравнению с традиционными МОП-транзисторами на основе технологии Super Junction. Эта технология также обеспечивает снижение потерь при отключении (EOSS) по сравнению с технологиями предыдущих поколений. Сочетание менее значительного повышения RDS(ON) при увеличении температуры и сниженного значения EOSS позволяет достичь высокой эффективности при разработке источников питания и помогает проектировщикам снижать размеры устройств.
В новом корпусе TO-247 с четырьмя выводами сначала будут поставляться четыре устройства на основе технологии DTMOSIV-H: TK25Z60X, TK31Z60X, TK39Z60X и TK62Z60X с параметрами VDSS = 600 В и значениями RDS(ON) от 125 и до 40 мОм.
Ознакомительные образцы устройств в новом корпусе уже доступны. Серийное производство начнется в течение 2015 г.