Четыре устройства с номинальным напряжением 800 и 900 В с каналом n-типа обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) вплоть до 1,9 Ом. Целевые области применения новых устройств — обратноходовые преобразователи для светодиодных осветительных приборов, дополнительные источники питания и другие схемы, в которых требуется коммутация токов ниже 5 А.\r\n\r\nНовые МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения, выпускаются с применением планарного технологического процесса производства полупроводников компании Toshiba восьмого поколения π-MOS VIII (Pi-MOS-8), который сочетает высокий уровень интеграции и оптимизированную структуру ячеек. Эта технология обеспечивает снижение заряда и емкости затвора без потери преимуществ низкого значения RDS(ON). \r\n\r\nНовые МОП-транзисторы Toshiba обладают сверхнизким максимальным током утечки, составляющим всего 10 мкА (VDS = 60 В) и диапазоном порогового напряжения затвора от 2,5 до 4,0 В (при VDS = 10 В и токе стока 0,4 мА). Все устройства поставляются в корпусах TO-220SIS стандартного форм-фактора.\r\n