Основой изобретения является специальный материал с пониженным коэффициентом диэлектрической проницаемости, производимый фирмой Dow Chemical Co. Предлагается покрывать этим веществом медные межсоединения, что снижает взаимные влияния в кристалле. Материал с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости обеспечивает снижение паразитных емкостей. В итоге уменьшение паразитных емкостей и утечек дает значительный выигрыш в быстродействии. Предложенное решение будет реализованно в разрабатываемом новом технологическом процессе Cu-11, при котором элементы микросхемы будут иметь размер 0,11 мкм. Начало внедрения Cu-11 ожидается в июле этого года.