Samsung Electronics официально объявил о создании новой технологии производства микросхем. Основана она на 193 нм фторид-аргонной (ArF) литографии. Новая технология позволит выпускать микросхемы с минимальным геометрическим размером 0,10 микрон и ниже. Этого достаточно, например, для производства микросхем памяти ёмкостью более 1 Гбит. В настоящее время Samsung подала заявки на патентование своей технологии в патентные организации девяти стран, включая США, Японию и Тайвань.