действия такой ячейки основан на явлении существенного изменения протекающего по ней туннельного тока в зависимости от направления действия полей магнитов. Созданию эффективной памяти до сих пор мешало то, что атомы металла при помещении на поверхность оксида вместо формирования слоя равномерной толщины группировались в скопления, следствием чего становилась пленка с низким уровнем кристаллизации. Результат - непрочная, требующая слишком много материала ячейка, отличающаяся высокой энергоемкостью. Ученые Национальной лаборатории Сандия и Национальной тихоокеанской северо-западной лаборатории разработали и запатентовали методику формирования пленки металла идеальной кристалличности за счет гидроксилирования поверхности изолятора. При нанесении слоя кобальта его атомы вызывают высвобождение молекулы водорода, становятся оксидированными сами и прочно связываются с верхним слоем оксида. Эти атомы выполняют роль "якорей", притягивающих к изолятору и остальные атомы металла. С точки зрения ученых, наладить производство магнитной памяти по новой технологии можно с использованием существующего оборудования заводов по выпуску микросхем: пленку оксида алюминия перед нанесением слоя кобальта достаточно просто подвергнуть воздействию водяного пара под небольшим давлением. Магнитная память сочетает в себе преимущества флэш-памяти (сохранение информации при отключении питания) и динамической оперативной памяти (высокая скорость доступа).