Устройство в целом имеет объем в несколько десятков мкм3, а его элемент, отвечающий за генерацию луча, и того меньше - около 1 нм по всем габаритам. Лазер также обладает рекордно малой потребляемой мощностью, порядка 1 мкВт. Возможная область применения разработки - миниатюризованные электронные схемы, содержащие оптические компоненты. Полупроводниковое устройство изготовлено из фосфата арсенида индия-галлия в виде "фотонного кристалла" - структуры, получаемой путем просверливания в исходном материале сетки отверстий с преднамеренным дефектом, локальным нарушением равномерности. Такая конструкция позволяет исключить при излучении большую часть спектра, оставив лишь требуемый узкий диапазон.