В Университете Пенсильвании разработана память на фазовых состояниях, способная хранить данные на протяжении 100 тыс. лет и обеспечивающая скорость их считывания, в 1 тыс. раз большую, чем у флэш-памяти.
При этом ей требуется меньше электроэнергии, чем любым из существующих технологий памяти, а процесс ее изготовления не нуждается в литографии. В качестве рабочего вещества ячеек исследователи используют нанопроволоки из сплава германия, сурьмы и теллура, который меняет состояние между кристаллическим и аморфным под действием тока. Изготовление ячеек выполняется методом самосборки: реагенты кристаллизуются на кремниевой подложке при относительно низких температурах, образуя нанопроволоки 30-50 нм в диаметре и 10 мкм в длину. Согласно измерениям, энергопотребление такой памяти - всего 0,7 мВт в расчете на операцию записи бита, а время записи, стирания и считывания составляет 50 нс.