Одним из веществ, потенциально способных заменить кремний в микросхемах, является графен - одиночный слой атомов углерода, образующих гексагональную решетку. Прямой переход от кремния к графену, однако, невозможен, поскольку получить углеродные "основы" площадью более нескольких мм2 пока не удавалось. Инженеры Принстонского университета предлагают перейти к графену, полностью отказавшись от старых методов: погружая "штамп", представляющий собой массив столбиков с плоскими наконечниками, в графит, они получают на них тонкие слои углерода, а затем тем же штампом оставляют на основе графеновые отпечатки - в местах, где необходимо сформировать элементы. Исследователи продемонстрировали возможность получения таким способом транзисторов, причем, согласно измерениям, они действуют на порядок быстрее, чем кремниевые. По словам разработчиков, уже в ближайшие несколько лет данная технология сможет найти применение по крайней мере в микросхемах для радиоэлектроники.