В рамках программы исследований Carbon Electronics for RF Applications (CERA), спонсируемой Управлением перспективного планирования оборонных научно-исследовательских работ (DARPA) при Министерстве обороны США, ученые из исследовательского центра IBM им. Т. Дж. Уотсона продемонстрировали работоспособность графеновых транзисторов на гигагерцовых частотах, достигнув, таким образом, рекордно высоких рабочих частот для этого нового в электронике «не кремниевого» полупроводникового элемента.
 
Графен, являясь формой графита, состоит из одного слоя атомов углерода, выстроенных в виде гексагональной решетки, аналогичной мелкой проволочной сетке атомарного масштаба. Ключевое преимущество графена — в очень высокой скорости распространения электронов в этом материале, что является необходимым условием создания быстродействующих высокопроизводительных транзисторов. Исследователи обнаружили зависимость увеличения рабочей частоты транзистора от уменьшения его размеров. И на данный момент рекордной для графенового транзистора является тактовая частота 26 ГГц, при этом длина затвора транзистора составляет 150 нм. Улучшение диэлектрических свойств затвора и уменьшение его длины до 50 нм позволят достичь терагерцовых рабочих частот, уверяют специалисты.