Объединенный инженерный совет по электронным устройствам (JEDEC) утвердил и опубликовал на своем сайте финальный вариант спецификации динамической оперативной памяти DDR4. В новой спецификации реализованы усовершенствованные механизмы считывания, записи и регенерации. Благодаря этому максимальная скорость обмена данными с DDR4 составляет 3,2 млн передач (гигатрансферов) в секунду, вдвое больше, чем у DDR3. Напряжение питания DDR4 — 1,2 В, тогда как DDR3 требовалось 1,5 В. Минимальная частота шины новой памяти 2133 МГц, а у DDR3 рабочая частота шины составляла 1333 МГц или 1666 МГц.

DDR4, Samsung,
Источник: Samsung

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Компании Samsung, Micro, Nanya и другие уже начали поставлять пробные образцы модулей DDR4. Как прогнозируют аналитики, в персональных компьютерах DDR4 может появиться уже в следующем году, но в смартфонах и планшетах новый вид памяти начут использовать позднее, чем в ПК.