В январе IBM и Intel объявили об открытии веществ, позволяющих снизить утечку тока в транзисторах микросхем нового поколения. Однако конкретный состав ни одна из компаний не сообщила. Недавно же специалисты IBM объявили о проведении суперкомпьютерного моделирования необходимого состава. Традиционно в затворе транзисторов микросхем используется диоксид кремния, однако с повышением плотности упаковки возрастает и утечка тока. Если заменить диоксид на какое-то вещество с более высокой диэлектрической проницаемостью, это позволило бы избавиться от упомянутого недостатка. Вместо диоксида кремния предлагается использовать в затворе металлические составы. В IBM по результатам моделирования подобрали такой состав — диоксид гафния в смеси с кремнием. Всего на суперкомпьютере Blue Gene с 4096 процессорами было обработано 50 различных сочетаний упомянутых веществ. Для каждого из них процесс имитации, предусматривавший моделирование взаимодействия индивидуальных частиц в 600 атомах, занял примерно по пять суток.