Как сообщили представители IBM, ее исследователям удалось объединить технологии растянутого кремния (Strained Silicon) и кремния на изоляторе (Silicon On Insulator, SOI), получив в результате новую методику, названную Strained Silicon Directly On Insulator (SSDOI).
За счет применения данного метода в IBM надеются увеличить производительность транзисторов в полтора раза. По словам представителя корпорации, начать применение технологии в производстве микросхем можно будет не раньше чем через три-пять лет; не исключено, что впервые она будет использована в IBM с началом производства процессоров, имеющих топологический размер элемента 65 нм. Еще одна находка исследователей IBM - возможность сочетания на одной и той же подложке полевых транзисторов p- и n-типа без потерь в частоте переключения тех или других, в результате чего производительность транзисторов p-типа в схеме повышается на 40-65%. Возможно, методика будет использована при изготовлении микросхем с топологическим размером элемента 90 нм, но до полноценного применения в массовом производстве пройдет еще от трех до пяти лет.
Служба новостей IDG, Бостон