Samsung готовится к очередному рекорду

00:00 30.12.2003

848 прочтений

В первом квартале 2004 года Samsung начнет массовое производство микросхем флэш-памяти типа NAND рекордной емкости - 1 Гбайт. Выпуск будет осуществляться по технологии 90 нм. Образцы микросхем Samsung уже оцениваются в качестве основы для будущих карт памяти в компании Lexar Media.

Самая вместительная из ныне предлагаемых Samsung флэш-микросхем имеет емкость 512 Мбайт.

Служба новостей IDG, Токио

Роботизировать правильно: на что следует делать особый упор

Бизнесу нужны роботы. Поэтому в марте в реестр российского ПО были добавлены системы разработки программных роботов, в числе которых и инструменты RPA. Почему?

Самое читаемое