изготавливаться в соответствии с нормой проектирования 90 нм согласно процессу разработки IBM с применением методики "кремний на диэлектрике", изолирующего слоя с низкой диэлектрической проницаемостью и медной разводки. Как надеются в VIA, использование данных технологий IBM позволит снизить энергопотребление процессоров и обеспечить им тактовую частоту 2 ГГц и более, сохранив рабочую температуру, характерную для нынешних процессоров VIA, которые изготавливаются по технологии 130 нм. Процессоры на основе ядра Esther планируется производить на заводе IBM в г. Ист-Фишкилл (шт. Нью-Йорк), ориентированного на выпуск кремниевых основ диаметром 300 мм. Процессоры VIA предыдущих моделей для компании, как и ранее, будет выпускать корпорация TSMC.