Специалисты Toshiba и SanDisk совместно разработали микросхему флэш-памяти, отличающуюся вдвое большей емкостью, чем самые вместительные из ныне существующих - 4 Гбит (512 Кбайт). В компаниях также ведется разработка сдвоенной микросхемы, содержащей два 4-гигабитных модуля.
Серийный выпуск 4- и 8-гигабитных микросхем планируется начать с третьего квартала нынешнего года. Производство будет осуществлять по технологии 90 нм фирма Flash Vision Japan, являющаяся совместным предприятием Toshiba и SanDisk. Пробные микросхемы Toshiba предлагает уже сейчас; 4-гигабитная стоит около 110 долл., 8-гигабитная - вдвое дороже. В третьем квартале также планируется наладить опытное производство микросхем, содержащих по четыре 512-килобайтных модуля.
Служба новостей IDG, Токио