В Samsung заявили о начале серийного производства 256-мегабайтных микросхем оперативной памяти, выполненных по лицензированной у Rambus технологии XDR (eXtreme Data Rate) DRAM. Рабочая частота памяти составляет 3,2 ГГц, скорость передачи данных - 8 Гбайт/c.
Как утверждается, по производительности она пока не имеет аналогов в мире: скорость передачи у DDR 400 ниже в десять раз, у RDRAM - в пять. До конца первой половины этого года в Samsung также обещают выпустить 512-мегабайтную микросхему XDR DRAM, имеющую скоростью передачи данных 12,8 Гбайт/c. Приступить к выпуску микросхем на основе технологии Rambus XDR DRAM также собираются в компании Toshiba.
Techworld.com