Как сообщили представители Samsung, во второй половине будущего года в компании планируют начать серийное производство микросхем флэш-памяти НЕ-И емкостью по 16 Гбит. Новая микросхема будет иметь топологический размер элемента 50 нм.
По словам сотрудников Samsung, с учетом существующих стандартов чип позволит выпускать флэш-карты емкостью до 32 Гбайт. Для сравнения: в настоящее время самые вместительные карты памяти имеют емкость не более нескольких гигабайт. В Samsung рассчитывают добиться того, чтобы флэш-память получила более широкое применение в качестве носителя информации, в том числе как замена жестких дисков для ноутбуков. В этом году компания объявила о планах по выпуску в дальнейшем таких "твердотельных накопителей" (solid-state disks, SSD), имеющих емкость по 16 Гбайт.
Служба новостей IDG, Тайбэй